l,ed
led的特性
1．-参数的意义
1允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，led-、损坏。
2大正向直流电流ifm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
3大反向电压vrm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
4工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大-低。
led
led发光原理
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas、gapgaasp等半导体制成的，其-是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向?截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子少子一部分与多数载流子多子复合而发光。
假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心这个中心介于导带、介带中间附近捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光-效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近pn结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度ｅg有关，即λ≈1240/egmm式中eg的单位为电子伏特ev。若能产生可见光波长在380nm紫光～780nm红光，半导体材料的eg应在3.26～1.63ev之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格-，使用不普遍。
led
外接电源测量
用3v稳压源或两节串联的干电池及万用表指针式或数字式皆可可以较准确测量发光二极管的光、电特性。
由于红外发光二极管，它发射1~3μm的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mw,不同型号的红外led发光强度角分布也不相同。红外led的正向压降一般为1.3~2.5v.正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光led的检测法只能判定其pn结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。为此，准备一只光敏器件如2cr、2dr型硅光电池作接收。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外led加上适当正向电流后是否发射红外光。
联系时请说明是在云商网上看到的此信息，谢谢！
本页网址：
https://tztz296411.ynshangji.com/xw/18552967.html
登录后台
